深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC018N10L参数：100V39A ，类型：N沟道结MOS场效应管，内阻22毫欧， 低结电容1000pF， 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
100V39A场效应管HC018N10L
100V39A场效应管HC018N10L
HC018N10L是一款专门为电弧机应用于市场设计开发的一款结MOS管，低开启电压 低内阻，特别适合应用于电弧机，其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射
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跟双性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
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