深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越

深圳市惠新晨电子有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售

主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装

产品型号：HC160N10L参数：100V10A ，类型：N沟道场效应管，内阻145mR，低结电容400pF，  封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低内阻，低结电容，特别适合频率要求高、对CISS结电容要求特别高的高频雾化器、香薰机、加湿器等产品

HC160N10L广泛应用于LED驱动电源、加湿器、雾化器、香薰机、安防监控等产品，高性价比比，出货量大，稳定成熟

100V10A贴片TO-252 加湿器低结电容MOS管

100V10A贴片TO-252 加湿器低结电容MOS管

工厂规模：

可靠性测试及品质把控：





封装及测试流程：
 

公司库存实力展示：

多型号如下：

型号：HC240N10LS N沟道场效应管，丝印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封装，内阻200mR 

型号：HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号：HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号：HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装，内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号：HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号：HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR，可用于工控电源

型号：HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号：HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装，  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号：HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装，   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号：HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号：HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装，     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号：HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号：HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装，      内阻70mR

型号：HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号：HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号：HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号：HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号：HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

型号太多，无法一一列出来，具体可以上惠新晨电子网看或者与我们网上业务员沟通，给您带来不便敬请谅解，谢谢

     MOS管驱动

      跟双性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
      在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
      第二注意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

      上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

      MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

      MOS管应用电路

      MOS管较显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

惠新晨电子专业中低压MOS管行业10年，经验丰富，实力雄厚可以做月结30天，惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商

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